THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
Вантажиться...
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown
that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура
приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев
от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах
кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення
та характеристик кремнію.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics