Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Назва: THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
Інші назви: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯ
ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮ
Автори: Smyntyna, Valentyn A.
Kulinich, O. A.
Glauberman, Mykhailo A.
Chemeresiuk, Heorhii H.
Yatsunskiy, I. R.
Смынтына, Валентин Андреевич
Кулинич, О. А.
Глауберман, Михаил Аббович
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Яцунский, Игорь Ростиславович
Сминтина, Валентин Андрійович
Кулініч, О. А.
Глауберман, Михайло Абович
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Яцунський, Ігор Ростиславович
Бібліографічний опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публікації: 2008
Видавництво: Астропринт
Серія/номер: ;№ 17. - Р. 61 - 63.
Короткий огляд (реферат): The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.
Опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Розташовується у зібраннях:Photoelectronics

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Fotoel_17_61-63.pdf237.65 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.