Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Название: THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
Другие названия: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯ
ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮ
Авторы: Smyntyna, Valentyn A.
Kulinich, O. A.
Glauberman, Mykhailo A.
Chemeresiuk, Heorhii H.
Yatsunskiy, I. R.
Смынтына, Валентин Андреевич
Кулинич, О. А.
Глауберман, Михаил Аббович
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Яцунский, Игорь Ростиславович
Сминтина, Валентин Андрійович
Кулініч, О. А.
Глауберман, Михайло Абович
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Яцунський, Ігор Ростиславович
Библиографическое описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публикации: 2008
Издательство: Астропринт
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 61 - 63.
Краткий осмотр (реферат): The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Располагается в коллекциях:Photoelectronics

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Fotoel_17_61-63.pdf237.65 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.