Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Title: THE STRUCTURE INVESTIGATION OF NEAR-SURFACE LAYERS IN SILICON – DIOXIDE SILICON SYSTEMS
Other Titles: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ В СИСТЕМАХ КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯ
ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ В СИСТЕМАХ КРЕМНІЙ – ДІОКСИД КРЕМНІЮ
Authors: Smyntyna, Valentyn A.
Kulinich, O. A.
Glauberman, Mykhailo A.
Chemeresiuk, Heorhii H.
Yatsunskiy, I. R.
Смынтына, Валентин Андреевич
Кулинич, О. А.
Глауберман, Михаил Аббович
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Яцунский, Игорь Ростиславович
Сминтина, Валентин Андрійович
Кулініч, О. А.
Глауберман, Михайло Абович
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Яцунський, Ігор Ростиславович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: ;№ 17. - Р. 61 - 63.
Abstract: The near-surface silicon layers in silicon – dioxide silicon systems with used modern method of research are investigated. It is shown that these layers have compound structure and their parameters depend on oxidation and initial silicon parameters. В данной работе на основе проведенных с помощью современных методов исследования показана сложная структура приповерхностных слоев кремния в системах кремний – диоксид кремния. Выявлены зависимости параметров этих слоев от условия оксидирования и характеристик первоначального кремния. В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній – діоксид кремнію показано їх складна структура. Показано залежність розмірів ціх шарів від параметрів окислення та характеристик кремнію.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/284
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoel_17_61-63.pdf237.65 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.