CURRENT FLOW PROCESS SIMULATION IN METAL-SILICON STRUCTURES
Вантажиться...
Дата
2006
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation
within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of
structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична
модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно-
резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико-
математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио-
ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
Ключові слова
silicon, metal, model, current, dislocation, кремній, метал, моделювання, струмоперенос, кремний, металл, моделирование, токоперенос
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics