Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/283
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Kulinich, O. A. | - |
dc.contributor.author | Smyntyna, Valentyn A. | - |
dc.contributor.author | Glauberman, Mykhailo A. | - |
dc.contributor.author | Chemeresiuk, Heorhii H. | - |
dc.contributor.author | Yatsunskiy, I. R. | - |
dc.contributor.author | Кулініч, О. А. | - |
dc.contributor.author | Сминтина, Валентин Андрійович | - |
dc.contributor.author | Глауберман, Михайло Абович | - |
dc.contributor.author | Чемересюк, Георгій Гаврилович | - |
dc.contributor.author | Яцунський, Ігор Ростиславович | - |
dc.contributor.author | Кулинич, О. А. | - |
dc.contributor.author | Смынтына, Валентин Андреевич | - |
dc.contributor.author | Глауберман, Михаил Аббович | - |
dc.contributor.author | Чемересюк, Георгий Гаврилович | - |
dc.contributor.author | Яцунский, Игорь Ростиславович | - |
dc.date.accessioned | 2010-09-10T08:37:30Z | - |
dc.date.available | 2010-09-10T08:37:30Z | - |
dc.date.issued | 2006 | - |
dc.identifier.citation | Фотоэлектроника = Photoelectronics | uk |
dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/283 | - |
dc.description | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006. | uk |
dc.description.abstract | The model of current flow process simulation in metal-silicon structures with used modern method of investigation within the limits of thermo-electric, drift-diffusion and tunnel-resonant theories and it bases on barrier properties of structural defects. В роботі на основі проведених досліджень за допомогою сучасних методів запропонована фізико-математична модель струмопереносу в структурах метал-кремній в межах термоелектронної, дрейфово-дифузіоної та тунельно- резонансних теорій і основана на бар'єрних властивостях структурних дефектів. В данной роботе на основе исследований, проведенных с помощью современных методов, предложена физико- математическая модель токопереноса в структурах металл-кремний в рамках термоэлектронной, дрейфово-дифузио- ной и туннельно-резонансных теорий и она основана на барьерных свойствах структурных дефектов. | uk |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Астропринт | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;№ 15. - Р. 84 - 88. | - |
dc.subject | silicon | uk |
dc.subject | metal | uk |
dc.subject | model | uk |
dc.subject | current | uk |
dc.subject | dislocation | uk |
dc.subject | кремній | uk |
dc.subject | метал | uk |
dc.subject | моделювання | uk |
dc.subject | струмоперенос | uk |
dc.subject | кремний | uk |
dc.subject | металл | uk |
dc.subject | моделирование | uk |
dc.subject | токоперенос | uk |
dc.title | CURRENT FLOW PROCESS SIMULATION IN METAL-SILICON STRUCTURES | uk |
dc.title.alternative | МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ СТРУМОПЕРЕНОСУ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛ-КРЕМНІЙ | uk |
dc.title.alternative | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТОКОПЕРЕНОСА В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-КРЕМНИЙ | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
fotoel_15_2006_84-88.pdf | 1.4 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.