Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/282
Назва: | COMPUTER MODELLING OPTIMAL SCHEMES OF THE LASER PHOTOIONIZATION METHOD FOR PREPARING THE FILMS OF PURE COMPOSITION AT ATOMIC LEVEL |
Інші назви: | КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ОПТИМАЛЬНИХ СХЕМ ЛАЗЕРНОГО ФОТОІОНІЗАЦІЙНОГО МЕТОДУ ДЛЯ ПРИГОТУВАННЯ ПЛІВОК ЧИСТОГО СКЛАДУ НА АТОМНОМУ РІВНІ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ СХЕМ ЛАЗЕРНО-ФОТОИОНИЗАЦИОННОГО МЕТОДА ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ОСОБО ЧИСТОГО СОСТАВА НА АТОМНОМ УРОВНЕ |
Автори: | Glushkov, Oleksandr V. Lepikh, Yaroslav I. Ambrosov, S. V. Khetselius, O. Yu. Chernyakova, Yu. G. Глушков, Олександр Васильович Лепіх, Ярослав Ілліч Амбросов, С. В. Хецеліус, Ольга Юріївна Чернякова, Ю. Г. Глушков, Александр Васильевич Лепих, Ярослав Ильич Амбросов, С. В. Хецелиус, Ольга Юрьевна Чернякова, Ю. Г. |
Бібліографічний опис: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Дата публікації: | 2008 |
Видавництво: | Астропринт |
Серія/номер: | ;№ 17. - Р. 53 - 55. |
Короткий огляд (реферат): | The optimal laser photoionization scheme for preparing the films of pure composition on example of creation of the hetero structures (layers of GaAlAs) is proposed.. New model of optimal realization of the first step excitation and further ionization of the As+ ions in Rydberg states by DC electric field is developed. Запропоновано оптимальну лазерно-фотоіонізаційну схему приготування плівок особливо чистого складу на прикладі контролю побудови гетероструктур (типу GaAlAs).Розвинуто нову модель оптимальної реалізації збудження на 1-й стадії й подальшої іонізації іонів As+ у рідбергових станах електричним полем. Предложена новая оптимальная лазерно-фотоионизационная схема приготовления пленок особо чистого состава на атомном уровне на примере контроля приготовления гетероструктур (типа GaAlAs). Развита новая модель оптимальной реализации возбуждения на первой стадии и дальнейшей ионизации ионов As+ в ридберговых состояниях внешним электрическим полем. |
Опис: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/282 |
Розташовується у зібраннях: | Photoelectronics |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Fotoel_17_53-55.pdf | 61.06 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.