DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/282

Название: COMPUTER MODELLING OPTIMAL SCHEMES OF THE LASER PHOTOIONIZATION METHOD FOR PREPARING THE FILMS OF PURE COMPOSITION AT ATOMIC LEVEL
Другие названия: КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ОПТИМАЛЬНИХ СХЕМ ЛАЗЕРНОГО ФОТОІОНІЗАЦІЙНОГО МЕТОДУ ДЛЯ ПРИГОТУВАННЯ ПЛІВОК ЧИСТОГО СКЛАДУ НА АТОМНОМУ РІВНІ
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ СХЕМ ЛАЗЕРНО-ФОТОИОНИЗАЦИОННОГО МЕТОДА ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ОСОБО ЧИСТОГО СОСТАВА НА АТОМНОМ УРОВНЕ
Авторы: Glushkov, A. V.
Lepikh, Ya. I.
Ambrosov, S. V.
Khetselius, O. Yu.
Chernyakova, Yu. G.
Глушков, О. В.
Лепіх, Я. І.
Амбросов, С. В.
Хецеліус, О. Ю.
Чернякова, Ю. Г.
Глушков, А. В.
Лепих, Я. И.
Амбросов, С. В.
Хецелиус, О. Ю.
Чернякова, Ю. Г.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 17. - Р. 53 - 55.
Краткий осмотр (реферат): The optimal laser photoionization scheme for preparing the films of pure composition on example of creation of the hetero structures (layers of GaAlAs) is proposed.. New model of optimal realization of the first step excitation and further ionization of the As+ ions in Rydberg states by DC electric field is developed. Запропоновано оптимальну лазерно-фотоіонізаційну схему приготування плівок особливо чистого складу на прикладі контролю побудови гетероструктур (типу GaAlAs).Розвинуто нову модель оптимальної реалізації збудження на 1-й стадії й подальшої іонізації іонів As+ у рідбергових станах електричним полем. Предложена новая оптимальная лазерно-фотоионизационная схема приготовления пленок особо чистого состава на атомном уровне на примере контроля приготовления гетероструктур (типа GaAlAs). Развита новая модель оптимальной реализации возбуждения на первой стадии и дальнейшей ионизации ионов As+ в ридберговых состояниях внешним электрическим полем.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/282
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_53-55.pdf61,06 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь