Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/281
Title: EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONS
Other Titles: ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GAAS
ВЛИЯНИЕ АТОМОВ СЕРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GAAS
Authors: Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Masleyeva, N. V.
Bogdan, O. V.
Shugarova, V. V.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Маслєєва, Наталя Володимирівна
Богдан, О. В.
Шугарова, В. В.
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Федор Александрович
Маслеева, Наталья Владимировна
Богдан, О. В.
Шугарова, В. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2008
Publisher: Астропринт
Abstract: Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition. Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки. Исследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/281
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Fotoel_17_36-39.pdf92.96 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.