EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONS
Дата
2008
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent
spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and
reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the
sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of
sulphur atoms deposition. Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму
і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний
струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість
до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню
атомів сірки. Исследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока
и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой
ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно
повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных
состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics