DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/281

Название: EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONS
Другие названия: ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GAAS
ВЛИЯНИЕ АТОМОВ СЕРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GAAS
Авторы: PTASHCHENKO, O. O.
PTASHCHENKO, F. O.
MASLEYEVA, N. V.
Bogdan, O. V.
SHUGAROVA, V, V.
ПТАЩЕНКО, О. О.
ПТАЩЕНКО, Ф. О.
МАСЛЄЄВА, Н. В.
Богдан, О. В.
ШУГАРОВА, В. В.
ПТАЩЕНКО, А. А.
ПТАЩЕНКО, Ф. А.
МАСЛЕЕВА, Н. В.
Богдан, О. В.
ШУГАРОВА, В. В.
Дата публикации: 2008
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Краткий осмотр (реферат): Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition. Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та її вплив на ВАХ прямого і зворотного струмів, спектр фотоструму і чутливість p-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація зменшує надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах, підвищує фоточутливість у спектральній області сильного поглинання, суттєво збільшує чутливість до парів аміаку. Всі ці явища пояснюються зменшенням щільності поверхневих станів у результаті нанесення на поверхню атомів сірки. Исследованы пассивация поверхности GaAs атомами серы и ее влияние на ВАХ прямого и обратного токов, спектр фототока и чувствительность p-n переходов на основе GaAs как газовых сенсоров. Пассивация уменьшает избыточный прямой ток и обратный ток в p-n переходах, повышает фоточувствительность в спектральной области сильного поглощения, существенно повышает чувствительность к парам аммиака. Все эти явления объясняются уменьшением плотности поверхностных состояний в результате нанесения на поверхность атомов серы.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2008.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/281
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Fotoel_17_36-39.pdf92,96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь