INFLUENCE OF THE GLASS PHASE STRUCTURE ON THE RESISTANCE OF THE LAYERS IN SYSTEM “GLASS-RuO2”

Вантажиться...
Ескіз
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Influence of quantitative and qualitive (phase and granule-metric) composition of initial components on the electro physical properties of thick films on the base of the systems “glass — clusters RuO2, Bi2Ru2O7” was investigated. At the fixed values of functional material content mf (RuO2) and glass phase mg, the increase of mass of crystalline phase mcr leads to decrease of conductivity, therefore to the increase of resistance of resistive layer. Исследовано влияние количественного и качественного (фазовый и гранулометрический) состава исходных компонентов на электрофизические параметры толстых пленок на базе систем “стекло — кластеры RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданных величинах содержания функционального материала (RuO2) и стеклянной фазы увеличение массы кристаллической фазы приводит к увеличению сопротивления резистивной пленки. Досліджено вплив кількісного та якісного (фазовий і гранулометричний) складу вихідних компонентів на електрофізичн і параметри товстих плівок на базі систем “скло — кластери RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданих величинах вмісту функціонального матеріалу (RuO2) і скляної фази збільшення маси кристалічної фази призводить до зменшення величини провідності, тобто до збільшення опору резистивної плівки.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
sructure, phase, resistance, layer, структура, фаза, сопротивление, плёнка, структура, фаза, опір, плівка
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics
DOI
ORCID:
УДК
Зібрання