DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/277

Название: INFLUENCE OF THE GLASS PHASE STRUCTURE ON THE RESISTANCE OF THE LAYERS IN SYSTEM “GLASS-RuO2”
Другие названия: ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ СТЕКЛЯННОЙ ФАЗЫ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК В СИСТЕМЕ “СТЕКЛО-RuO2”
ВПЛИВ СТРУКТУРИ СКЛЯНОЇ ФАЗИ НА ОПІР РЕЗИСТИВНИХ ПЛІВОК В СИСТЕМІ “СКЛО-RuO2”
Авторы: Kurmashev, Sh. D.
Bugaeva, T. M.
Lavrenova, T. I.
Sadova, N. N.
Курмашев, Ш. Д.
Бугаева, Т. Н.
Лавренова, Т. И.
Садова, Н. Н.
Курмашев, Ш. Д.
Бугаєва, Т. Н.
Лавренова, Т. І.
Садова, Н. Н.
Ключевые слова: sructure
phase
resistance
layer
структура
фаза
сопротивление
плёнка
структура
фаза
опір
плівка
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 18. - С. 99 - 102.
Краткий осмотр (реферат): Influence of quantitative and qualitive (phase and granule-metric) composition of initial components on the electro physical properties of thick films on the base of the systems “glass — clusters RuO2, Bi2Ru2O7” was investigated. At the fixed values of functional material content mf (RuO2) and glass phase mg, the increase of mass of crystalline phase mcr leads to decrease of conductivity, therefore to the increase of resistance of resistive layer. Исследовано влияние количественного и качественного (фазовый и гранулометрический) состава исходных компонентов на электрофизические параметры толстых пленок на базе систем “стекло — кластеры RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданных величинах содержания функционального материала (RuO2) и стеклянной фазы увеличение массы кристаллической фазы приводит к увеличению сопротивления резистивной пленки. Досліджено вплив кількісного та якісного (фазовий і гранулометричний) складу вихідних компонентів на електрофізичн і параметри товстих плівок на базі систем “скло — кластери RuO2, Bi2Ru2O7”. При заданих величинах вмісту функціонального матеріалу (RuO2) і скляної фази збільшення маси кристалічної фази призводить до зменшення величини провідності, тобто до збільшення опору резистивної плівки.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/277
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_99-102.pdf82,81 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь