INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES
Вантажиться...
Дата
2006
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown
that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier
lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of
Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor-
In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що
в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час
життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в
p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро-
говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb.
Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе
Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме
образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb,
глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics