Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276
Title: | INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES |
Other Titles: | ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ З p-InSb ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ p-InSb |
Authors: | Kurmashev, Shamil D. Vikulin, Ivan M. Nikiforov, S. N. Курмашев, Шаміль Джамашевич Вікулін, Іван Михайлович Никифоров, С. Н. Викулин, Иван Михайлович Никифоров, С. Н. |
Citation: | Фотоэлектроника = Photoelectronics |
Issue Date: | 2006 |
Publisher: | Астропринт |
Series/Report no.: | ;№ 15. - Р. 63 - 64. |
Abstract: | The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется. |
Description: | Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006. |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276 |
Appears in Collections: | Photoelectronics |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
fotoel_15_2006_63-64.pdf | 98.24 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.