DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276

Название: INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES
Другие названия: ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ З p-InSb
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ p-InSb
Авторы: Kurmashev, Sh. D.
VIKULIN, I. M.
NIKIFOROV, S. N.
Курмашев, Ш. Д.
Вікулін, І. М.
Никифоров, С. Н.
Викулин, И. М.
Никифоров, С. Н.
Дата публикации: 2006
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 15. - Р. 63 - 64.
Краткий осмотр (реферат): The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_15_2006_63-64.pdf98,24 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь