Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276
Title: INFLUENCE OF THE ELECTRON IRRADIATION ON THE CHARACTERISTICS OF p-InSb INJECTION PHOTODIODES
Other Titles: ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ІНЖЕКЦІЙНИХ ФОТОДІОДІВ З p-InSb
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ ИЗ p-InSb
Authors: Kurmashev, Shamil D.
Vikulin, Ivan M.
Nikiforov, S. N.
Курмашев, Шаміль Джамашевич
Вікулін, Іван Михайлович
Никифоров, С. Н.
Викулин, Иван Михайлович
Никифоров, С. Н.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2006
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: ;№ 15. - Р. 63 - 64.
Abstract: The characteristics of infrared photosensitivity for injection photodiodes on p-InSb base were investigated. It is shown that as a result of electron irradiation at electron energy E = 225 MeV and integral dose Ô = 1014 sm-2 the carrier lifetime practically does not change. The change of diodes parameters corresponds to the scheme for the formation of Frenkel defects in p-InSb: shallow donors-interstitial site In and Sb, shallow acceptor-Sb-vacancy, deep donor- In-vacancy. The threshold beam of light-irradiation for the diodes practically does not change. Досліджено характеристики інфрачервоної фоточутливості інжекційних фотодіодів на основі p-InSb. Показано, що в результаті електронного опромінення при енергії електронів E = 225 МеВ і інтегральній дозі Ф = 1014 см-2 час життя електронів практично не міняється. Зміна параметрів ІФД відповідає схемі утворення дефектів Френкеля в p-InSb: дрібні донори-міжвузельні In і Sb, дрібний акцептор-вакансія Sb, глибокий донор-вакансія In. Поро- говий потік для ІФД у результаті опромінення практично не змінюється. Исследованы характеристики инфракрасной фоточувствительности инжекционных фотодиодов на основе p-InSb. Показано, что в результате электронного облучения при энергии электронов E = 225 МэВ и интегральной дозе Ф = 1014 см-2 время жизни электронов практически не меняется. Изменение параметров ИФД соответствует схеме образования дефектов Френкеля в p-InSb: мелкие доноры -межузельные In и Sb, мелкий акцептор-вакансия Sb, глубокий донор-вакансия In. Пороговый поток для ИФД в результате облучения практически не изменяется.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/276
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_15_2006_63-64.pdf98.24 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.