DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Фотоэлектроника" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/275

Название: TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION
Другие названия: ТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs–AlGaAs, ОБУСЛОВЛЕННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКА
ТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs–AlGaAs, ОБУМОВЛЕНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ
Авторы: Ptashchenko, O. O.
Ptashchenko, F. O.
Shugarova, V. V.
Птащенко, А. А.
Птащенко, Ф. А.
Шугарова, В. В.
Птащенко, О. О.
Птащенко, Ф. О.
Шугарова, В. В.
Ключевые слова: tunnel surfeace current
adsorbption
junctions
туннельный поверхностный ток
адсорбция
переход
тунельний поверхневий струм
адсорбція
перехід
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 18. - С. 95 - 98.
Краткий осмотр (реферат): The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+ region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/275
Располагается в коллекциях:"Фотоэлектроника"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_95-98.pdf99,89 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь