Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/275
Title: TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION
Other Titles: ТУННЕЛЬНЫЙ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs–AlGaAs, ОБУСЛОВЛЕННЫЙ АДСОРБЦИЕЙ МОЛЕКУЛ АММИАКА
ТУНЕЛЬНИЙ ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs–AlGaAs, ОБУМОВЛЕНИЙ АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ
Authors: Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Shugarova, V. V.
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Федор Александрович
Шугарова, В. В.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Шугарова, В. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: tunnel surfeace current
adsorbption
junctions
туннельный поверхностный ток
адсорбция
переход
тунельний поверхневий струм
адсорбція
перехід
Series/Report no.: ;№ 18. - С. 95 - 98.
Abstract: The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+ region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами. P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/275
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_18_2009_95-98.pdf99.89 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.