TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION
Вантажиться...
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs-
AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high
NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P-n junctions with degenerated p+
region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting
channel from the degenerated p+ region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere
of ~20 s is due to filling up deep electron traps. Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов и на кинетику поверхностных токов в p-n
переходах на основе GaAs-AlGaAs с вырожденной p+ областью. Показано, что адсорбция молекул аммиака при достаточно
высоком парциальном давлении NH3 создает в p-AlGaAs поверхностный проводящий канал с вырожденными электронами.
P-n переходы с вырожденной p+ областью имеют более высокую газовую чувствительность при обратном смещении, чем
при прямом смещении. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией электронов в проводящий канал из вырожденной
p+ области при обратном смещении. Время нарастания поверхностного тока ~20 с в парах аммиака связано с заполнением
глубоких электронных ловушек. Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів та на кінетику поверхневих струмів у p-n переходах
на основі GaAs-AlGaAs з виродженою p+ областю. Показано, що адсорбція молекул аміаку при достатньо високому парціальному
тиску NH3 створює в p-AlGaAs поверхневий провідний канал з виродженими електронами. P-n переходи з виродженою
p+ областю мають вищу газову чутливість при зворотному зміщенні, ніж при прямому зміщенні. Цей ефект пояснюється
тунельною інжекцією електронів в провідний канал із виродженої p+ області при зворотному зміщенні. Час наростання поверхневого
струму ~20 с в парах аміаку пов’язаний із заповненням глибоких електронних пасток.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
tunnel surfeace current, adsorbption, junctions, туннельный поверхностный ток, адсорбция, переход, тунельний поверхневий струм, адсорбція, перехід
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics