Effects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states
Вантажиться...
Файли
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The critical modes of illumination for samples with sensitization centers by exciting and quenching light were investigated. And the conditions when the spectral distribution of infrared quenching coefficient changed qualitatively have been founded. Disappearance of quenching shortwave maximum within the range of 1000 m connected with photoexcitation of holes from R-centers under the high
intrinsic conductivity. The anomalous shape of quenching curve without long-wave maximum in the range of 1400 m was obtained. The observed dependence is explained by the decrease of quantum yield for infrared illumination.
Исследованы критические режимы освещения возбуждающим и гасящим светом образцов с центрами очувствления. Оределены условия, при которых спектральное распределение коэффициента инфракрасного гашения претерпевает качественные изменения. Исчезновение коротковолнового максимума гашения в области 1000нм связано с фотовозбуждением дырок с R — центров в условиях большой собственной проводимости. Определён аномальный вид кривой гашения без длинноволнового максимума в области 1400нм. Наблюдаемая зависимость объясняется уменьшением квантового выхода для инфракрасного излучения.
Досліджені критичні умови засвітлення збуджуючим і гаснучим світлом зразків з центрами чутливості. Знайдені умови, при яких спектральний розподіл коефіціента інфрачервоного гасіння відчуває якісні зміни. Зникнення короткохвильового максимума гасіння в області 1000нм пов`язано з фотозбудженням дірок з R — центрів за умов більшої власної провідності. Розраховано аномальний вигляд кривої гасіння без довгохвильового максимума в області 1400нм. Спостерігаєма залежність пояснюється зменьшенням квантового виходу для інфрачервоного випромінювання.
Исследованы критические режимы освещения возбуждающим и гасящим светом образцов с центрами очувствления. Оределены условия, при которых спектральное распределение коэффициента инфракрасного гашения претерпевает качественные изменения. Исчезновение коротковолнового максимума гашения в области 1000нм связано с фотовозбуждением дырок с R — центров в условиях большой собственной проводимости. Определён аномальный вид кривой гашения без длинноволнового максимума в области 1400нм. Наблюдаемая зависимость объясняется уменьшением квантового выхода для инфракрасного излучения.
Досліджені критичні умови засвітлення збуджуючим і гаснучим світлом зразків з центрами чутливості. Знайдені умови, при яких спектральний розподіл коефіціента інфрачервоного гасіння відчуває якісні зміни. Зникнення короткохвильового максимума гасіння в області 1000нм пов`язано з фотозбудженням дірок з R — центрів за умов більшої власної провідності. Розраховано аномальний вигляд кривої гасіння без довгохвильового максимума в області 1400нм. Спостерігаєма залежність пояснюється зменьшенням квантового виходу для інфрачервоного випромінювання.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. – Одесса : Астропринт, 2009.
Ключові слова
quantum yield, spectral distribution, infrared illumination, носители заряда, инфракрасное излучение, квантовый выход, носії заряду, інфрачервоне випромінювання, квантовий вихід
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics