Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/274
Title: Effects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states
Other Titles: Эффекты, связанные со взаимодействием носителей заряда с основным и возбужденным состоянием R-центров
Ефекти, пов'язані зі взаємодією носіїв заряду з основним і збудженим станом R-центрів
Authors: Brytavskyi, Yevhen V.
Karakis, Yurii M.
Kutalova, Mariia I.
Chemeresiuk, Heorhii H.
Бритавский, Евгений Викторович
Каракис, Юрий Николаевич
Куталова, Мария Ивановна
Чемересюк, Георгий Гаврилович
Бритавський, Євген Вікторович
Каракіс, Юрій Миколайович
Куталова, Марія Іванівна
Чемересюк, Георгій Гаврилович
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: quantum yield
spectral distribution
infrared illumination
носители заряда
инфракрасное излучение
квантовый выход
носії заряду
інфрачервоне випромінювання
квантовий вихід
Series/Report no.: ;№ 18
Abstract: The critical modes of illumination for samples with sensitization centers by exciting and quenching light were investigated. And the conditions when the spectral distribution of infrared quenching coefficient changed qualitatively have been founded. Disappearance of quenching shortwave maximum within the range of 1000 m connected with photoexcitation of holes from R-centers under the high intrinsic conductivity. The anomalous shape of quenching curve without long-wave maximum in the range of 1400 m was obtained. The observed dependence is explained by the decrease of quantum yield for infrared illumination.
Исследованы критические режимы освещения возбуждающим и гасящим светом образцов с центрами очувствления. Оределены условия, при которых спектральное распределение коэффициента инфракрасного гашения претерпевает качественные изменения. Исчезновение коротковолнового максимума гашения в области 1000нм связано с фотовозбуждением дырок с R — центров в условиях большой собственной проводимости. Определён аномальный вид кривой гашения без длинноволнового максимума в области 1400нм. Наблюдаемая зависимость объясняется уменьшением квантового выхода для инфракрасного излучения.
Досліджені критичні умови засвітлення збуджуючим і гаснучим світлом зразків з центрами чутливості. Знайдені умови, при яких спектральний розподіл коефіціента інфрачервоного гасіння відчуває якісні зміни. Зникнення короткохвильового максимума гасіння в області 1000нм пов`язано з фотозбудженням дірок з R — центрів за умов більшої власної провідності. Розраховано аномальний вигляд кривої гасіння без довгохвильового максимума в області 1400нм. Спостерігаєма залежність пояснюється зменьшенням квантового виходу для інфрачервоного випромінювання.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. – Одесса : Астропринт, 2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/274
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
84-87.pdf93.05 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.