Peculiarities in photoexcitation of carriers from deep traps
Вантажиться...
Дата
2006
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
This work is devoted to the studies in nuances of the processes proceeding at excitation of charge carriers from bound state to current conducting one. The effect for infrared quenching of photocurrent was used as the method to
investigate the mechanism of trap injection from R-centers. It was shown that after photoexcitation the hole could recurrently and spontaneously return to the source center. The anomalously low quantum yield for IR-light, and also the
change in spectral distribution of quenching coefficient on applied field and light intensity point out this.
Работа посвящена изучению процессов, протекающих при возбуждении носителей заряда из связанного в токопроводящее состояние. Использовался эффект инфракрасного гашения фототока как инструмент исследования механизма выброса дырок с R-центров. Показано, что после фотовозбуждения дырка может многократно спонтанно возвращаться на исходный центр. На это указывает аномально низкий квантовый выход для ИК-света, а также изменение спектрального распределения коэффициента гашения от приложенного поля и интенсивности света.
Робота присвячена вивченню процесів, що протікають при збужденні носіїв заряду зі зв'язанного в струмопровідний стан. Використовувався ефект інфрачервоного гасіння фотоструму, як інструмент дослідження механізму викиду дірок з R-центрів. Показано, що після фотовозбудження дірка може багаторазово спонтанно повертатися на вихідний центр. На це вказує аномально низький квантовий вихід для ІЧ випромінювання, а також зміна спектрального розподілу коефіцієнта гасіння від прикладеного поля і інтенсивності світла.
Работа посвящена изучению процессов, протекающих при возбуждении носителей заряда из связанного в токопроводящее состояние. Использовался эффект инфракрасного гашения фототока как инструмент исследования механизма выброса дырок с R-центров. Показано, что после фотовозбуждения дырка может многократно спонтанно возвращаться на исходный центр. На это указывает аномально низкий квантовый выход для ИК-света, а также изменение спектрального распределения коэффициента гашения от приложенного поля и интенсивности света.
Робота присвячена вивченню процесів, що протікають при збужденні носіїв заряду зі зв'язанного в струмопровідний стан. Використовувався ефект інфрачервоного гасіння фотоструму, як інструмент дослідження механізму викиду дірок з R-центрів. Показано, що після фотовозбудження дірка може багаторазово спонтанно повертатися на вихідний центр. На це вказує аномально низький квантовий вихід для ІЧ випромінювання, а також зміна спектрального розподілу коефіцієнта гасіння від прикладеного поля і інтенсивності світла.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics