Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/273
Title: PECULIARITIES IN PHOTOEXCITATION OF CARRIERS FROM DEEP TRAPS
Other Titles: ОСОБЕННОСТИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ С ГЛУБОКИХ ЛОВУШЕК
ОСОБЛИВОСТІ ФОТОЗБУДЖЕННЯ НОСІЇВ ІЗ ГЛИБОКИХ ПАСТОК
Authors: Dragoev, A. A.
Karakis, Yurii M.
Kutalova, Mariia I.
Драгоев, А. А.
Каракис, Юрий Николаевич
Куталова, Мария Ивановна
Драгоєв, О. О.
Каракіс, Юрій Миколайович
Куталова, Марія Іванівна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2006
Publisher: Астропринт
Series/Report no.: ;№ 15. - Р. 54 - 57.
Abstract: This work is devoted to the studies in nuances of the processes proceeding at excitation of charge carriers from bound state to current conducting one. The effect for infrared quenching of photocurrent was used as the method to investigate the mechanism of trap injection from R-centers. It was shown that after photoexcitation the hole could recurrently and spontaneously return to the source center. The anomalously low quantum yield for IR-light, and also the change in spectral distribution of quenching coefficient on applied field and light intensity point out this. Работа посвящена изучению процессов, протекающих при возбуждении носителей заряда из связанного в токо- проводящее состояние. Использовался эффект инфракрасного гашения фототока как инструмент исследования меха- низма выброса дырок с R-центров. Показано, что после фотовозбуждения дырка может многократно спонтанно воз- вращаться на исходный центр. На это указывает аномально низкий квантовый выход для ИК-света, а также измене- ние спектрального распределения коэффициента гашения от приложенного поля и интенсивности света. Робота присвячена вивченню процесів, що протікають при збужденні носіїв заряду зі зв'язанного в струмопровід- ний стан. Використовувався ефект інфрачервоного гасіння фотоструму, як інструмент дослідження механізму викиду дірок з R-центрів. Показано, що після фотовозбудження дірка може багаторазово спонтанно повертатися на вихідний центр. На це вказує аномально низький квантовий вихід для ІЧ випромінювання, а також зміна спектрального роз- поділу коефіцієнта гасіння від прикладеного поля і інтенсивності світла.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2006.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/273
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_15_2006_54-57.pdf136.43 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.