Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/27227
Title: Electrophysical properties of zinc oxide thin films obtained by chemical methods
Other Titles: Електрофізичні властивості тонких плівок оксиду цинку, отриманих хімічними методами
Электрофизические свойства тонких пленок оксида цинка, полученных химическими методами
Authors: Bulyga, Y. I.
Chebanenko, Anatoliy P.
Hrinevych, Viktor S.
Filevska, Liudmila M.
Булига, Ю. І.
Чебаненко, Анатолій Павлович
Гріневич, Віктор Сергійович
Філевська, Людмила Миколаївна
Булыга, Ю. И.
Чебаненко, Анатолий Павлович
Гриневич, Виктор Сергеевич
Филевская, Людмила Николаевна
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2019
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: zinc oxide
thin films
electrophysical properties
оксид цинку
тонкі плівки
електрофізичні властивості
оксид цинка
тонкие пленки
электрофизические свойства
Series/Report no.: ;№ 28.
Abstract: The electrophysical characteristics comparative studies were carried out for ZnO films obtained by chemical precipitation from zinc acetate solutions and thermal oxidation of zinc films. The ZnO films showed optical absorption and band gap (2.9 to 3.2 eV) specific for this material, which indicates the presence of crystalline structure in them. The use of polyvinyl alcohol made it possible to obtain samples with the highest values of E g and electrical resistance, which is caused by the nanosize crystallites of the films. The investigated electrophysical characteristics of the ZnO films made it possible to establish the contribution of their own defects and surface states to the conductivity.
Проведено порівняльні дослідження електрофізичних характеристик плівок ZnO, отриманих шляхом хімічного осадження з розчинів ацетату цинку та термічного окислення плівок цинку. Плівки оксиду цинку демонстрували специфічне для цього матеріалу оптичне поглинання та ширину забороненої зони (2,9-3,2 еВ), що вказує на наявність у них кристалічної структури. Використання полівінілового спирту дозволило отримати зразки з найвищими значеннями E g та електричного опору, що спричинені нанорозміром кристалітів плівок. Досліджені електрофізичні характеристики плівок ZnO дали змогу встановити внесок власних дефектів та станів поверхні в електропровідність.
Проведены сравнительные исследования электрофизических характеристик пленок ZnO, полученных химическим осаждением из растворов ацетата цинка и термическим окислением пленок цинка. Пленки ZnO показали оптическое поглощение и ширину запрещенной зоны (2,9-3,2 эВ), характерные для этого материала, что свидетельствует о наличии в них кристаллической структуры. Использование поливинилового спирта позволило получить образцы с наибольшими значениями E g и электросопротивления, что обусловлено наноразмером кристаллитов в пленках. Исследованные электрофизические характеристики пленок ZnO позволили установить вклад собственных дефектов и поверхностных состояний в проводимость.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/27227
Other Identifiers: PACS 73.61.Le, 73.63.Bd
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11-18.pdf486.39 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.