Electrophysical properties of zinc oxide thin films obtained by chemical methods
Вантажиться...
Дата
2019
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
ISSN
E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The electrophysical characteristics comparative studies were carried out for ZnO films obtained
by chemical precipitation from zinc acetate solutions and thermal oxidation of zinc films. The
ZnO films showed optical absorption and band gap (2.9 to 3.2 eV) specific for this material,
which indicates the presence of crystalline structure in them. The use of polyvinyl alcohol made it
possible to obtain samples with the highest values of E
g and electrical resistance, which is caused
by the nanosize crystallites of the films. The investigated electrophysical characteristics of the ZnO
films made it possible to establish the contribution of their own defects and surface states to the
conductivity.
Проведено порівняльні дослідження електрофізичних характеристик плівок ZnO, отриманих шляхом хімічного осадження з розчинів ацетату цинку та термічного окислення плівок цинку. Плівки оксиду цинку демонстрували специфічне для цього матеріалу оптичне поглинання та ширину забороненої зони (2,9-3,2 еВ), що вказує на наявність у них кристалічної структури. Використання полівінілового спирту дозволило отримати зразки з найвищими значеннями E g та електричного опору, що спричинені нанорозміром кристалітів плівок. Досліджені електрофізичні характеристики плівок ZnO дали змогу встановити внесок власних дефектів та станів поверхні в електропровідність.
Проведены сравнительные исследования электрофизических характеристик пленок ZnO, полученных химическим осаждением из растворов ацетата цинка и термическим окислением пленок цинка. Пленки ZnO показали оптическое поглощение и ширину запрещенной зоны (2,9-3,2 эВ), характерные для этого материала, что свидетельствует о наличии в них кристаллической структуры. Использование поливинилового спирта позволило получить образцы с наибольшими значениями E g и электросопротивления, что обусловлено наноразмером кристаллитов в пленках. Исследованные электрофизические характеристики пленок ZnO позволили установить вклад собственных дефектов и поверхностных состояний в проводимость.
Проведено порівняльні дослідження електрофізичних характеристик плівок ZnO, отриманих шляхом хімічного осадження з розчинів ацетату цинку та термічного окислення плівок цинку. Плівки оксиду цинку демонстрували специфічне для цього матеріалу оптичне поглинання та ширину забороненої зони (2,9-3,2 еВ), що вказує на наявність у них кристалічної структури. Використання полівінілового спирту дозволило отримати зразки з найвищими значеннями E g та електричного опору, що спричинені нанорозміром кристалітів плівок. Досліджені електрофізичні характеристики плівок ZnO дали змогу встановити внесок власних дефектів та станів поверхні в електропровідність.
Проведены сравнительные исследования электрофизических характеристик пленок ZnO, полученных химическим осаждением из растворов ацетата цинка и термическим окислением пленок цинка. Пленки ZnO показали оптическое поглощение и ширину запрещенной зоны (2,9-3,2 эВ), характерные для этого материала, что свидетельствует о наличии в них кристаллической структуры. Использование поливинилового спирта позволило получить образцы с наибольшими значениями E g и электросопротивления, что обусловлено наноразмером кристаллитов в пленках. Исследованные электрофизические характеристики пленок ZnO позволили установить вклад собственных дефектов и поверхностных состояний в проводимость.
Опис
Ключові слова
zinc oxide, thin films, electrophysical properties, оксид цинку, тонкі плівки, електрофізичні властивості, оксид цинка, тонкие пленки, электрофизические свойства
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics