DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2720

Название: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭДС ХОЛОСТОГО ХОДА СЕНСОРА ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu2S
Другие названия: ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЭРС ХОЛОСТОГО ХОДУ СЕНСОРА ЗОБРАЖЕННЯ НА ОСНОВІ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S
Авторы: Борщак, Виталий Анатольевич
Borshchak, V. A.
Ключевые слова: сенсор
неидеальный гетеропереход
туннельно-прыжковый механизм токопереноса
сенсор
неідеальний гетероперехід
туннельно-стрибковий механізм струмопереносу
sensor
nonideal heterojunction
tunnel jumping current carry
Дата публикации: 2012
Издатель: Одеський національний університет
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Серия/номер: ;Т.3(9),№1 С.42-47
Краткий осмотр (реферат): Проведены экспериментальные исследования напряжения холостого хода сенсора оптического и рентгеновского изображений при разных условиях освещения. Установлено, что напряжение холостого хода исследуемого сенсора существенно ниже рассчитанного с использованием только термоэмиссионных моделей переноса. Показано, что для корректного расчета Uхх необходимо учитывать как процессы рекомбинации на центрах гетерограницы носителей генерированных в узкозонном материале, так и явления туннельно-прыжкового токопереноса по локализованным состояниям в области пространственного заряда широкозонного материала
Проведено експериментальні дослідження напруги холостого ходу сенсора оптично- го й рентгенівського зображень при різних умовах освітлення. Встановлено, що напруга холостого ходу досліджуваного сенсора істотно нижче розрахованого з використанням лише термоемісійних моделей переносу. Показано, що для коректного розрахунку Uхх необхідно враховувати як процеси рекомбінації на центрах гетеромежі носіїв генерованих в вузькозонному матеріалі, так і явища тунельно-стрибкового струмопереносу по локалізованих станах в області просторового заряду широкозонного матеріалу.
Experimental investigation optical and X-ray images sensor open-circuit voltage under different conditions of illumination had been carried out. It is established, that the open-circuit voltage of a researched sensor is much lower the calculated with the use of only carry thermoemission models. It is shown, that for correct calculation Uoc it is necessary to take into account not only recombination processes on the heterojunction centres of carriers generated in the narrowgap material, but the phenomena of tunnel jumping current carry on the located state in the widegap material space charge region.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2720
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
42-47+.pdf386,51 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь