Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2720
Title: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭДС ХОЛОСТОГО ХОДА СЕНСОРА ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА CdS-Cu2S
Other Titles: ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЭРС ХОЛОСТОГО ХОДУ СЕНСОРА ЗОБРАЖЕННЯ НА ОСНОВІ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S
Authors: Борщак, Виталий Анатольевич
Borshchak, Vitalii A.
Борщак, Віталій Анатолійович
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2012
Publisher: Одеський національний університет
Keywords: сенсор
неидеальный гетеропереход
туннельно-прыжковый механизм токопереноса
сенсор
неідеальний гетероперехід
туннельно-стрибковий механізм струмопереносу
sensor
nonideal heterojunction
tunnel jumping current carry
Series/Report no.: ;Т.3(9),№1 С.42-47
Abstract: Проведены экспериментальные исследования напряжения холостого хода сенсора оптического и рентгеновского изображений при разных условиях освещения. Установлено, что напряжение холостого хода исследуемого сенсора существенно ниже рассчитанного с использованием только термоэмиссионных моделей переноса. Показано, что для корректного расчета Uхх необходимо учитывать как процессы рекомбинации на центрах гетерограницы носителей генерированных в узкозонном материале, так и явления туннельно-прыжкового токопереноса по локализованным состояниям в области пространственного заряда широкозонного материала
Проведено експериментальні дослідження напруги холостого ходу сенсора оптично- го й рентгенівського зображень при різних умовах освітлення. Встановлено, що напруга холостого ходу досліджуваного сенсора істотно нижче розрахованого з використанням лише термоемісійних моделей переносу. Показано, що для коректного розрахунку Uхх необхідно враховувати як процеси рекомбінації на центрах гетеромежі носіїв генерованих в вузькозонному матеріалі, так і явища тунельно-стрибкового струмопереносу по локалізованих станах в області просторового заряду широкозонного матеріалу.
Experimental investigation optical and X-ray images sensor open-circuit voltage under different conditions of illumination had been carried out. It is established, that the open-circuit voltage of a researched sensor is much lower the calculated with the use of only carry thermoemission models. It is shown, that for correct calculation Uoc it is necessary to take into account not only recombination processes on the heterojunction centres of carriers generated in the narrowgap material, but the phenomena of tunnel jumping current carry on the located state in the widegap material space charge region.
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2720
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
42-47+.pdf386.51 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.