Радиационная стойкость планарных транзисторных термодатчиков
Вантажиться...
Дата
2011
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет
Анотація
Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления р от величины потоков электронов, нейтронов и у-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5...2 порядка выше, чем коэффициента усиления, Степень деградации U и р зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов
Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення Р від величини потоків електронів, нейтронів і у-квантів, а також вплив ефективної концентрації типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і р залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів
Investigated dependence of forward bias U and amplification p from size of streams electrons, neutrons and у — quanta, and also influence of effective concentration impurity in base area and thickness of base on radiating resistance transistor temperature-sensitive sensors. Influence of annealing of the irradiated structures on restoration of sensitive parameters was studied. It is shown that degradation of sensitive parameters under the influence of an irradiation begins at doses on 1.5 ... 2 order above, than amplification. Degree of degradation U and p depends on the constructive-technological parameters of transistors
Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення Р від величини потоків електронів, нейтронів і у-квантів, а також вплив ефективної концентрації типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і р залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів
Investigated dependence of forward bias U and amplification p from size of streams electrons, neutrons and у — quanta, and also influence of effective concentration impurity in base area and thickness of base on radiating resistance transistor temperature-sensitive sensors. Influence of annealing of the irradiated structures on restoration of sensitive parameters was studied. It is shown that degradation of sensitive parameters under the influence of an irradiation begins at doses on 1.5 ... 2 order above, than amplification. Degree of degradation U and p depends on the constructive-technological parameters of transistors
Опис
Ключові слова
термодатчики, транзисторы, облучение, деградация, термодатчики, транзистори, випромінювання, деградація, sensors, transistors, irradiation, degradation
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem