Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2718
Title: Радиационная стойкость планарных транзисторных термодатчиков
Other Titles: Радіаційна стійкість планарних транзисторних термодатчиків
Radiating resistance of the planar transistor temperature-sensitive sensors
Authors: Курмашев, Ш. Д.
Викулин, И. М.
Вікулін, Іван Михайлович
Kurmashev, S. D.
Vikulin, I. M.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Issue Date: 2011
Publisher: Одеський національний університет
Keywords: термодатчики
транзисторы
облучение
деградация
термодатчики
транзистори
випромінювання
деградація
sensors
transistors
irradiation
degradation
Series/Report no.: ;Т.2(8),№4 С.90-95
Abstract: Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления р от величины потоков электронов, нейтронов и у-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучалось влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1.5...2 порядка выше, чем коэффициента усиления, Степень деградации U и р зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов
Досліджували залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта підсилення Р від величини потоків електронів, нейтронів і у-квантів, а також вплив ефективної концентрації типозадаючої домішки в базовій області і товщини бази на радіаційну стійкість планарно-епітаксійних транзисторних термодатчиків. Вивчався вплив відпалу опроміненних структур на відновлення термочутливих параметрів. Показано, що деградація термочутливих параметрів під впливом опромінення починається при дозах на 1.5 ... 2 порядки вище, ніж коефіцієнта посилення. Ступінь деградації U і р залежить від конструктивно-технологічних параметрів транзисторів
Investigated dependence of forward bias U and amplification p from size of streams electrons, neutrons and у — quanta, and also influence of effective concentration impurity in base area and thickness of base on radiating resistance transistor temperature-sensitive sensors. Influence of annealing of the irradiated structures on restoration of sensitive parameters was studied. It is shown that degradation of sensitive parameters under the influence of an irradiation begins at doses on 1.5 ... 2 order above, than amplification. Degree of degradation U and p depends on the constructive-technological parameters of transistors
Description: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2718
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
90-95+.pdf92.92 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.