Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2708
Назва: | Властивості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальній ІЧ-області спектру |
Інші назви: | p(Pbl-xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructure ultrathin film properties in the farinfrared spectrum range Свойства сверхтонких пленок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) в дальней ИЧ-области спектра |
Автори: | Лепіх, Ярослав Ілліч Іванченко, Іраїда Олександрівна Будіянська, Людмила Михайлівна Lepikh, Yaroslav I. Ivanchenko, Iraida A. Budiyanskaya, Ludmyla M. Лепих, Ярослав Ильич Иванченко, Ираида Александровна Будиянская, Людмила Михайловна |
Бібліографічний опис: | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Ключові слова: | ІЧ-фотоприймач напівпровідникові гетероструктури інверсія зон фотогетерорезистор infrared photodetector semiconductor heterostructures the zones inversion photoheteroresistor ИК-фотоприемник полупроводниковые гетероструктуры инверсия зон фотогетерорезистор |
Серія/номер: | ;Т. 3(9), № 2 |
Короткий огляд (реферат): | Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області А=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно.
Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1 xSnxSe зі складом, чутливим в області А=10 мкм при кімнатній температурі.
Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі р-п-переходу p(Pb1 xSnxSe) - n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6.. .10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області А=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2. The mechanism of the р(РЦ xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructures ultrathin film sensitivity in the far infrared (IR) spectrum range, which consists of minority carriers injection from the narrowgap semiconductor which absorbs infrared radiation, into the wide-gap semiconductor with the mechanism limiting the current spatial charge, has been investigated. The possibility of creating the own uncooled photodetector (PhD) in the field of A=10 pm on their basis has been shown, assuming that the zone inversion is observed at temperatures of 77, 195 and 300° К and structure compounds of 0.19, 0.25 and 0.30, respectively. A method for obtaining polycrystalline ingots of the Pb1 xSnxSe narrow-band semiconductor compound with a composition sensitive in the field of l=10 m at room temperature has been developed. The design and manufacturing technology of film bilayer photoheteroresistors based on p(Pb1 xSnxSe)-n(CdSe) pn-junction with a threshold sensitivity of PN = 10-6.. .10-7 Vt/Gts1/2, as well as a film matrix uncooled photodetector sensitive in l=10,6 pm, with a threshold sensitivity of the element not worse than 10-6 W/Hz 1/2 has been engineered. Исследован механизм возникновения чувствительности сверхтонких пленок гете¬роструктур p(Pbj xSnxSe) - n (Cd Se) в инфракрасной (ИК)-области спектра, который заключается в инжекции неосновных носителей заряда из узкозонного полупроводника, поглощающего ИК- излучение, в широкозонный полупроводник с участием механизма ограничения тока простран¬ственным зарядом. Показана возможность создания на их основе неохлаждаемого собственного фотоприемника (ФП) в области А=10 мкм, исходя из того, что инверсия зон наблюдается при температурах 77, 195 и 300 К и составах 0,19, 0,25 и 0,30 соответственно. Разработана методика получения поликристаллических слитков узкозонного полупроводни-кового соединения Pb1xSnxSe с составом, чувствительным в области А=10 мкм при комнатной температуре. Разработана конструкция и технология изготовления пленочных двухслойных фотогетерорезисторов на основе p-n перехода p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) с пороговой чувствительностью PN = 10-6.10-7 Вт/Гц1/2, а также пленочного матричного неохлаждаемого фотоприемника, чувствительного в области А,= 10,6 мкм, с пороговой чувствительностью элемента не хуже 10-6 Вт/ Гц1/2. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2708 |
Розташовується у зібраннях: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
25-30.pdf | 159.63 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.