DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2708

Название: ВЛАСТИВОСТІ НАДТОНКИХ ПЛІВОК ГЕТЕРОСТРУКТУР p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se) В ДАЛЬНІЙ ІЧ- ОБЛАСТІ СПЕКТРУ
Другие названия: p(Pbl-xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructure ultrathin film properties in the farinfrared spectrum range
Свойства сверхтонких пленок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(Cd Se)B дальней ИЧ- области спектра
Авторы: Лепіх, Я. І.
Іванченко, І. О.
Будіянська, Л. М.
Lepikh, Ya. I.
Ivanchenko, I. A.
Budiyanskaya, L. M.
Лепих, Я. И.
Иванченко, И. А.
Будиянская, Л. М.
Ключевые слова: ІЧ-фотоприймач
напівпровідникові гетероструктури
інверсія зон
фотогетерорезистор
infrared photodetector
semiconductor heterostructures
the zones inversion
photoheteroresistor
ИК-фотоприемник
полупроводниковые гетероструктуры
инверсия зон
фотогетерорезистор
Дата публикации: 2012
Издатель: Одеський національний університет
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem
Серия/номер: ;Т.3(9),№2 С.25-30
Краткий осмотр (реферат): Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) з в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектру, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показана можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача (ФП) в області А=10 мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається при температурах 77, 195 і 300°К і складах сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно. Розроблена методика отримання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1 xSnxSe зі складом, чутливим в області А=10 мкм при кімнатній температурі. Розроблена конструкція і технологія виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі р-п-переходу p(Pb1 xSnxSe) - n (Cd Se) з пороговою чутливістю PN = 10-6.. .10-7 Вт/Гц1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області А=10,6 мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10-6 Вт/Гц1/2.
The mechanism of the р(РЦ xSnxSe) - n (Cd Se) heterostructures ultrathin film sensitivity in the far infrared (IR) spectrum range, which consists of minority carriers injection from the narrowgap semiconductor which absorbs infrared radiation, into the wide-gap semiconductor with the mechanism limiting the current spatial charge, has been investigated. The possibility of creating the own uncooled photodetector (PhD) in the field of A=10 pm on their basis has been shown, assuming that the zone inversion is observed at temperatures of 77, 195 and 300° К and structure compounds of 0.19, 0.25 and 0.30, respectively. A method for obtaining polycrystalline ingots of the Pb1 xSnxSe narrow-band semiconductor compound with a composition sensitive in the field of l=10 m at room temperature has been developed. The design and manufacturing technology of film bilayer photoheteroresistors based on p(Pb1 xSnxSe)-n(CdSe) pn-junction with a threshold sensitivity of PN = 10-6.. .10-7 Vt/Gts1/2, as well as a film matrix uncooled photodetector sensitive in l=10,6 pm, with a threshold sensitivity of the element not worse than 10-6 W/Hz 1/2 has been engineered.
Исследован механизм возникновения чувствительности сверхтонких пленок гете¬роструктур p(Pbj xSnxSe) - n (Cd Se) в инфракрасной (ИК)-области спектра, который заключается в инжекции неосновных носителей заряда из узкозонного полупроводника, поглощающего ИК- излучение, в широкозонный полупроводник с участием механизма ограничения тока простран¬ственным зарядом. Показана возможность создания на их основе неохлаждаемого собственного фотоприемника (ФП) в области А=10 мкм, исходя из того, что инверсия зон наблюдается при температурах 77, 195 и 300 К и составах 0,19, 0,25 и 0,30 соответственно. Разработана методика получения поликристаллических слитков узкозонного полупроводни-кового соединения Pb1xSnxSe с составом, чувствительным в области А=10 мкм при комнатной температуре. Разработана конструкция и технология изготовления пленочных двухслойных фотогетерорезисторов на основе p-n перехода p(Pb1-xSnxSe) - n (Cd Se) с пороговой чувствительностью PN = 10-6.10-7 Вт/Гц1/2, а также пленочного матричного неохлаждаемого фотоприемника, чувствительного в области А,= 10,6 мкм, с пороговой чувствительностью элемента не хуже 10-6 Вт/ Гц1/2.
Описание: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies : наук.-техн. журнал.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2708
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
25-30+.pdf159,63 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь