Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Свиридова, О. В. | - |
dc.contributor.author | Свірідова, О. В. | - |
dc.contributor.author | Sviridova, O. V. | - |
dc.date.accessioned | 2012-11-28T10:23:35Z | - |
dc.date.available | 2012-11-28T10:23:35Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes | uk |
dc.identifier.uri | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705 | - |
dc.description.abstract | В работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций. | uk |
dc.description.abstract | В роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій. | uk |
dc.description.abstract | Temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtained | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.relation.ispartofseries | ;Т.3(9), №3 | - |
dc.subject | дислокации | uk |
dc.subject | коэффициент усиления фототока | uk |
dc.subject | квантовая эффективность | uk |
dc.subject | p-i-n- фотоприемники | uk |
dc.subject | дислокації | uk |
dc.subject | коефіцієнт посилення фотоструму | uk |
dc.subject | квантова ефективність | uk |
dc.subject | p-i-n-фотоприймачі | uk |
dc.subject | dislocations | uk |
dc.subject | photocurrent amplification factor | uk |
dc.subject | quantum efficiency | uk |
dc.subject | p-i-n-photodetectors | uk |
dc.title | Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах | uk |
dc.title.alternative | Аналіз температурних залежностей коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності кремнієвих p-i-n-фотоприймачів, виготовлених для реєстрації випромінення в інфрачервоній області спектру, проведений для різних густин дислокацій у приладах | uk |
dc.title.alternative | The analysis of temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of silicon p-i-n-photodetectors, intended for radiation registration in infrared area of spectrum, spent for various density of dislocations in devices | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.