Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705| Title: | Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах |
| Other Titles: | Аналіз температурних залежностей коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності кремнієвих p-i-n-фотоприймачів, виготовлених для реєстрації випромінення в інфрачервоній області спектру, проведений для різних густин дислокацій у приладах The analysis of temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of silicon p-i-n-photodetectors, intended for radiation registration in infrared area of spectrum, spent for various density of dislocations in devices |
| Authors: | Свиридова, О. В. Свірідова, О. В. Sviridova, O. V. |
| Citation: | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
| Keywords: | дислокации коэффициент усиления фототока квантовая эффективность p-i-n- фотоприемники дислокації коефіцієнт посилення фотоструму квантова ефективність p-i-n-фотоприймачі dislocations photocurrent amplification factor quantum efficiency p-i-n-photodetectors |
| Series/Report no.: | ;Т.3(9), №3 |
| Abstract: | В работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций. В роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій. Temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtained |
| URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705 |
| Appears in Collections: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.