Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705
Title: Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах
Other Titles: Аналіз температурних залежностей коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності кремнієвих p-i-n-фотоприймачів, виготовлених для реєстрації випромінення в інфрачервоній області спектру, проведений для різних густин дислокацій у приладах
The analysis of temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of silicon p-i-n-photodetectors, intended for radiation registration in infrared area of spectrum, spent for various density of dislocations in devices
Authors: Свиридова, О. В.
Свірідова, О. В.
Sviridova, O. V.
Citation: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronіcs and Mіcrosystem Technologіes
Issue Date: 2012
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: дислокации
коэффициент усиления фототока
квантовая эффективность
p-i-n- фотоприемники
дислокації
коефіцієнт посилення фотоструму
квантова ефективність
p-i-n-фотоприймачі
dislocations
photocurrent amplification factor
quantum efficiency
p-i-n-photodetectors
Series/Report no.: ;Т.3(9), №3
Abstract: В работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций.
В роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій.
Temperature dependences of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency of infrared silicon p-i-n-photodetectors for different superficial density of dislocations are constructed; mechanisms of change of temperature dependence form of photocurrent amplification factor and of quantum efficiency for infrared silicon p-i-n-photodetectors at increase in superficial density of dislocations are obtained
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2705
Appears in Collections:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
25-33.pdf1.1 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.