Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/263
Title: INFLUENCE OF IMPURITIES AND DISLOCATIONS ON THE VALUE OF THRESHOLD STRESSES AND PLASTIC DEFORMATIONS IN SILICON
Other Titles: ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ И ДИСЛОКАЦИЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ И ПЛАСТИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ В КРЕМНИИ
ВПЛИВ ДОМІШОК І ДИСЛОКАЦІЙ НА ВЕЛИЧИНУ ПОРОГОВОЇ НАПРУГИ І ПЛАСТЧНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ В КРЕМНІЇ
Authors: Smyntyna, Valentyn A.
Sviridova, O. V.
Смынтына, Валентин Андреевич
Свиридова, О. В.
Сминтина, Валентин Андрійович
Свірідова, О. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: dislocations
threshold stresses
plastic deformations
дислокации
пороговое напряжение
пластические деформации
дислокації
порогова напруга
пластичні деформації
Series/Report no.: ;№ 18. - Р. 52 - 56.
Abstract: The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of threshold stress. Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание пороговых напряжений. Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/263
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_18_2009_51-56.pdf172.46 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.