Применение неидеальных гетероструктур для создания сенсоров изображения, работающих в оптическом и рентгеновском диапазонах.
Вантажиться...
Файли
Дата
2004
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астрапринт
Анотація
Некоторые специфические свойства неидеальных гетеропереходов могут служить основой для создания фотоэлектрических приборов специального назначения, например, сенсора изображений. Такое использование гетероперехода CdS-Cu2S связано с эффектом влияния коротковолновой подсветки на ток короткого замыкания,генерированный длинноволновым светом.При освещении гетероперехода светом из области собственного или примесного поглощения широкозонного CdS,в котором сосредоточена вся ОПЗ,фотогенерированные дырки, захватываясь на присутствующие в области пространственного заряда ловушки,уменьшают тем самым ширину этой области и сильно, изменяют форму потенциального барьера.Это приводит к резкому уменьшению на гетерогранице рекомбинационных потерь носителей,генерированных в Cu2S.Таким образом,с помощью коротковолновой подсветки малой интенсивности можно управлять большим потоком носителей,генерированных в Cu2S более длинноволновым светом.
Опис
Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-1) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-1) : мiжнар. наук.-техн. конф.(1;2004;Одеса): тези доповідей / гол. ред. В.А.Сминтина: НАН України, – Одеса: Астропринт, 2004.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Сенсорна електронiка та мiкросистемнi технологiї (СЕМСТ-1) = SENSORS ELECTRONICS AND MICROSYSTEMS TECHNOLOGY” ) = (SEMST-1)