Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2610
Title: ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛЕНОК А2 В6, СТИМУЛИРОВАННАЯ ПОВЕРХНОСТНЫМИ ЯВЛЕНИЯМИ
Authors: Смынтына, Валентин Андреевич
Турецкий, А. Е.
Чемересюк, Г. Г.
Citation: Известия ВУЗов:Физика
Issue Date: 1987
Series/Report no.: ;вып.10,С.97-101
Abstract: Изучен механизм изменения величины отношения фототока к темновому току (α=/ϕ//т) при взаимодействии с кислородом тонких пленок сульфида и селенида кадмия, полученных, соответственно, электрогидродинамическим распылением жидкости и термическим напылением в вакууме.Увеличение а может быть обусловлено не только уменьшением уровня темнового тока в результате хемосорбции кислорода на поверхности кристаллитов образцов, но и дополнительно к этому увеличением времени жизни фотоэлектронов в области пространственного заряда, приводящим к повышению фоточувствительности слоев.При этом происходит перераспределение рекомбинационных потоков на s- и r-центрах в сторону увеличения вклада r-центров. При определении роли кислорода в процессах очувствления полупроводников необходимо учитывать природу центров, ответственных за рекомбинационные процессы, а также отличия в составе поверхности слоев.
Description: Известия ВУЗов: Физика : Ежемесячный научный журнал / , Томский гос. ун-т . – 1958 . – На рус. яз.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2610
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
97-101+.PDF2.27 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.