Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич-
dc.date.accessioned2012-10-15T08:02:39Z-
dc.date.available2012-10-15T08:02:39Z-
dc.date.issued1983-
dc.identifier.citationФизика и техника полупроводниковuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609-
dc.descriptionФизика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.uk
dc.description.abstractВ результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherНаукаuk
dc.relation.ispartofseries;Т.17,вып.4,С.679-682-
dc.titleЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
679-682.PDF2.09 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.