Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609| Назва: | ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ |
| Автори: | Смынтына, Валентин Андреевич |
| Бібліографічний опис: | Физика и техника полупроводников |
| Дата публікації: | 1983 |
| Видавництво: | Наука |
| Серія/номер: | ;Т.17,вып.4,С.679-682 |
| Короткий огляд (реферат): | В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале. |
| Опис: | Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 679-682.PDF | 2.09 MB | Adobe PDF |  Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.