Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
Назва: ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Автори: Смынтына, Валентин Андреевич
Бібліографічний опис: Физика и техника полупроводников
Дата публікації: 1983
Видавництво: Наука
Серія/номер: ;Т.17,вып.4,С.679-682
Короткий огляд (реферат): В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.
Опис: Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
Розташовується у зібраннях:Статті та доповіді ФМФІТ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
679-682.PDF2.09 MBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.