Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
Title: ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Authors: Смынтына, Валентин Андреевич
Citation: Физика и техника полупроводников
Issue Date: 1983
Publisher: Наука
Series/Report no.: ;Т.17,вып.4,С.679-682
Abstract: В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале.
Description: Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
679-682.PDF2.09 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.