|
Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Статті та доповіді (фіз) >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609
|
| Название: | ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ |
| Авторы: | Смынтына, В. А. |
| Дата публикации: | 1983 |
| Издатель: | Наука |
| Источник: | Физика и техника полупроводников |
| Серия/номер: | ;Т.17,вып.4,С.679-682 |
| Краткий осмотр (реферат): | В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале. |
| Описание: | Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609 |
| Располагается в коллекциях: | Статті та доповіді (фіз)
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
