Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609| Title: | ЦЕНТРЫ МЕДЛЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ |
| Authors: | Смынтына, Валентин Андреевич |
| Citation: | Физика и техника полупроводников |
| Issue Date: | 1983 |
| Publisher: | Наука |
| Series/Report no.: | ;Т.17,вып.4,С.679-682 |
| Abstract: | В результате отжига,при котором уменьшается концентрация вакансий селена благодаря их диффузии к поверхности,проявляют свое влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллическпх слоев селенида кадмия к-центры медленной рекомбинации.Энергетические уровни к-центров расположены на 0.23—0.25 эВ выше потолка валентной зоны. Природа к-центров определяется присутствием в структуре слоя селенида кадмия собственных дефектов вакансий кадмия в отличие от r-центров медленной рекомбинации, которые связаны с примесями в полупроводниковом материале. |
| Description: | Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз. |
| URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2609 |
| Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 679-682.PDF | 2.09 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.