Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2608
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСмынтына, Валентин Андреевич-
dc.date.accessioned2012-10-15T07:39:58Z-
dc.date.available2012-10-15T07:39:58Z-
dc.date.issued1987-
dc.identifier.citationФизика и техника полупроводниковuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2608-
dc.descriptionФизика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.uk
dc.description.abstractТермически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherНаукаuk
dc.relation.ispartofseries;Т.21,вып.9 С.1690-1694-
dc.titleЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1690-1694+.PDF3.08 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.