ЯВЛЕНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ПРОЦЕССАМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Вантажиться...
Дата
1987
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Наука
Анотація
Термически стимулированная хемосорбция О2 и образование О- являются причиной насыщения вольтамперной характеристики темпового тока и фототока,отрицательного дифференциального сопротивления,отрицательного температурного коэффициента сопротивления.При этом в межэлектродном промежутке образуется новый тип электрической неоднородности — хемосорбционно-электрический домен.В зависимости от свойств поверхности полупроводника и конкретного механизма хемосорбционного процесса он может приводить как к повышению,так и к понижению фоточувствительности полупроводника.
Опис
Физика и техника полупроводников / , РАН . – М. : Наука, 1967 . – На рус. яз.
Ключові слова
Бібліографічний опис
Физика и техника полупроводников