Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2601
Назва: Temperature dependence of luminescence pecularities in oxygen doped ZnTe films
Автори: Malushyn, M. V.
Skobieieva, V. M.
Smyntyna, Valentyn A.
Бібліографічний опис: Фiзика напiвпровiдникiв, квантова та оптоелектронiка = Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics
Дата публікації: 2003
Ключові слова: luminescence
quenching
centre of luminescence
centre of capture
temperature dependence
Серія/номер: ;V.6 N.2 P.214-216
Короткий огляд (реферат): Temperature dependence of luminescence intensity inherent to zinc telluride films prepared by the method of vacuum deposition and containing an oxygen impurity was investigated.The model explaining non-monotonous behaviour of curve temperature dependence for the "oxygen" band (A^=650 nm) is offered.According to this model, during quenching luminescence,the centers of a luminescence and those of the majority carriers capture participate.Determined are the values of the activation energy and concentration of the appropriate centers at which abnormal dependence of luminescence intensity on the temperature is observed.
Опис: Фiзика напiвпровiдникiв, квантова та оптоелектронiка = Semiconductor Physics, Quantum Elecnronics and Optoelectronics : International Scientific Journal / , Iн-т фiзики напiвпровiдникiв . – 1998 . – На англ. яз.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2601
Розташовується у зібраннях:Статті та доповіді ФМФІТ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
214-216 Smyntyna+.pdf152.19 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.