DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Статті та доповіді (фіз) >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2568

Название: OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF Zn1−xBexSe GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
Другие названия: ОПТИЧНI ТА ЕЛЕКТРИЧНI ВЛАСТИВОСТI СПОЛУК Zn1−xBexSe, ЯКI ОТРИМАНI МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ПРОМЕНЕВО ЕПIТАКСI
Авторы: Kuskovsky, I. L.
Gu, Y.
Spanier, J. E.
Herman, I. P.
Neumark, G. F.
Maksimov, O.
Zhou, X.
Tamargo, M. C.
Smyntyna, V. A.
Belous, V. M.
Pasternak, V. A.
Кусковський, I. Л.
Гу, І.
Спенiер, Д. I.
Герман, I. П.
Неумарк, Ж. Ф.
Максимов, О.
Жоу, Е.
Тамарго, М. К.
Сминтина, В. О.
Бiлоус, В. М.
Пастернак, В. О.
Ключевые слова: molecular beam epitaxy
dopant behaviour
photoluminescence
Raman Scattering
photoconductivity
activation energy
donor
acceptor
carrier
trap
photon
volt-ampere dependence
Дата публикации: 2004
Источник: Журнал фiзичних дослiджень = Journal of Physical Studies
Серия/номер: ;Т.8 №4,С. 384-388
Краткий осмотр (реферат): The dopant behaviour in the n-type ZnBeSe:Cl and p-type ZnBeSe:N grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE)is investigated.All the samples have been grown on (001)GaAs substrates (conducting or semi-insulating).For the experimental investigation the photoluminescence(PL),Raman Scattering, photoconductivity and I–V measurements are used.From the temperature(9 K–300 K)and exitation intensity dependent on PL measurements it will be shown that donor and acceptor impurities exhibit a somewhat different behaviour and/or properties from those in ZnSe.We argue that(i)the activation energy of both the N acceptor and Cl donor increases in ZnBeSe as concentration of Be increases;(ii) all the indoped and n-type samples exhibit high (>180 K) temperature PL associated with shallow impurity of acceptor type, which also show an increase in the binding energy with Be composition;Raman scattering experiments have shown that at low Be concentrations (x < 0.04)one can use LO photon energy in ZnSe in the analyses of PL spectra from ZnBeSe. From photoconductivity and I–V measurements we show that(i) there are a number of carrier traps in ZnBeSe:Cl;(ii) some of the ZnBeSe samples with Be concentrations over 1% exhibit photoconductivity behaviour associated with the presence of DX centres or other deep trap, i. e., we observe persistent photoconductivity;(iii) volt-ampere dependencies (with and without irradiation)are different for the samples grown on conducting and semi-insulating substrates.
Описание: Журнал фiзичних дослiджень = Journal of Physical Studies. - Львiв : Б.в.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2568
Располагается в коллекциях:Статті та доповіді (фіз)

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
384-388 ЖФД+.pdf359,58 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь