ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Вантажиться...
Дата
1989
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Наука
Анотація
Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.
Опис
Журнал физической химии. - М. : Наука ; МАИК "Наука/Интерпериодика"
Ключові слова
Бібліографічний опис
Журнал физической химии