DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Статті та доповіді (фіз) >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567

Название: ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Авторы: Смынтына, В. А.
Сенкевич, А. И.
Герасютенко, В. А.
Дата публикации: 1989
Издатель: Наука
Источник: Журнал физической химии
Серия/номер: ;Т.63 вип.6,С. 1517-1521
Краткий осмотр (реферат): Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.
Описание: Журнал физической химии. - М. : Наука ; МАИК "Наука/Интерпериодика"
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567
Располагается в коллекциях:Статті та доповіді (фіз)

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
1517-1521+.pdf1,95 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь