Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567
Title: | ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ |
Authors: | Смынтына, Валентин Андреевич Сенкевич, А. И. Герасютенко, В. А. |
Citation: | Журнал физической химии |
Issue Date: | 1989 |
Publisher: | Наука |
Series/Report no.: | ;Т.63 вип.6,С. 1517-1521 |
Abstract: | Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно. |
Description: | Журнал физической химии. - М. : Наука ; МАИК "Наука/Интерпериодика" |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567 |
Appears in Collections: | Статті та доповіді ФМФІТ |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1517-1521+.pdf | 1.95 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.