Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567
Title: ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КРИСТАЛЛИТАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ
Authors: Смынтына, Валентин Андреевич
Сенкевич, А. И.
Герасютенко, В. А.
Citation: Журнал физической химии
Issue Date: 1989
Publisher: Наука
Series/Report no.: ;Т.63 вип.6,С. 1517-1521
Abstract: Методами рентгеповской фотоэлектронной спектроскопии и масс-спектрометрии исследованы влияние отжига в вакууме и легирования на элемептный состав пленок селепида кадмия,соотношение собственных и примесных атомов.Обнаружено монотонное уменьшение относительного содержания селена с ростом толщины пленки. На поверхности пленок выявлены две формы хемосорбированного кислорода (с энергиями связи линии О 1s, равными 531,7 и 531,3 эВ),соответствующие молекулярной и атомарной формам его хемосорбции.Показано,что основные донорные дефекты: вакансии селена и атомы кадмия одновременно являются центрами хемосорбции атомарной и молекулярной форм кислорода соответственно.
Description: Журнал физической химии. - М. : Наука ; МАИК "Наука/Интерпериодика"
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2567
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1517-1521+.pdf1.95 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.