Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2560
Назва: PHOTOCAPACITY RELAXATION PECULIARITY OF NONIDEAL HETEROSTRUCTURE
Автори: Borshchak, Vitalii A.
Balaban, Andrii P.
Zatovska, Nataliia P.
Kutalova, Mariia I.
Smyntyna, Valentyn A.
Борщак, Віталій Анатолійович
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, Мария Ивановна
Куталова, Марія Іванівна
Бібліографічний опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публікації: 2004
Видавництво: Astroprint
Серія/номер: ;Вип. 13, С.12-14
Короткий огляд (реферат): For Schottky barrier structures it can be stated thai the contribution of tunneling of non-equilibrium carriers, trapped near the interface, is significant in photocapacilance re¬laxation. For a depletion region width less than 0,3 |im, the application of theory, based on thermal release of centers, to determine the parameters of those centers gives an error close to the measured value. In case of thin barriers the parameters have to be obtained from the slow phase of photocapacitance relaxation.
Опис: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2004. - англ.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2560
Розташовується у зібраннях:Photoelectronics

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
12-14+.PDF1.64 MBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.