Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2560
Название: PHOTOCAPACITY RELAXATION PECULIARITY OF NONIDEAL HETEROSTRUCTURE
Авторы: Borshchak, Vitalii A.
Balaban, Andrii P.
Zatovska, Nataliia P.
Kutalova, Mariia I.
Smyntyna, Valentyn A.
Борщак, Віталій Анатолійович
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, Мария Ивановна
Куталова, Марія Іванівна
Библиографическое описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Дата публикации: 2004
Издательство: Astroprint
Серия/номер: ;Вип. 13, С.12-14
Краткий осмотр (реферат): For Schottky barrier structures it can be stated thai the contribution of tunneling of non-equilibrium carriers, trapped near the interface, is significant in photocapacilance re¬laxation. For a depletion region width less than 0,3 |im, the application of theory, based on thermal release of centers, to determine the parameters of those centers gives an error close to the measured value. In case of thin barriers the parameters have to be obtained from the slow phase of photocapacitance relaxation.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2004. - англ.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2560
Располагается в коллекциях:Photoelectronics

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
12-14+.PDF1.64 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.