DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2558

Название: INFLUENCE OF PHOTOEXCITATION ON THE PARAMETERS OF SURFACE POTENTIAL BARRIER
Авторы: Borshchak, V.
Zatovskaya, N.
Kutalova, M.
Smyntyna, V.
Дата публикации: 2001
Издатель: Astroprint
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;Вип. 10, С.25-28
Краткий осмотр (реферат): In this work the effect of photoexcitation on the parameters of surface potential barrier is investigated. We have examined in detail the phenomenon, which is deter¬mined by trapping of nonequilibrium carriers into the deep levels. It is shown how the parameters of surface barrier are governed by visible excitation. The described effect together with the usage of an asymmetric heterojunction permits the fabrication of an image sensor of a quite new type.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2001. - англ
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2558
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
25-28+.PDF2,81 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь