DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/255

Название: DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM PHOTOEXCITATION CONDITIONS
Другие названия: ЗАВИСИМОСТЬ ПРОВОДИМОСТИ ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА НЕИДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА ОТ УСЛОВИЙ ФОТОВОЗБУЖДЕНИЯ
ЗАЛЕЖНІСТЬ ПРОВІДНОСТІ ОБЛАСТІ ПРОСТОРОВОГО ЗАРЯДУ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ВІД УМОВ ФОТОЗБУДЖЕННЯ
Авторы: Borschak, V. A.
Kutalova, M. I.
Zatovskaya, N. P.
Balaban, A. P.
Smyntyna, V. A.
Борщак, Виталий Анатольевич
Куталова, М. И.
Затовская, Н. П.
Балабан, А. П.
Смынтына, В. А.
Борщак, Віталій Анатолійович
Куталова, М. І.
Затовська, Н. П.
Балабан, А. П.
Сминтина, В. А.
Ключевые слова: space — nonideal heterojunction
photoexcitation conditions
пространственный заряд
неидеальный гетеропереход
условия фотовозбуждения
просторовий заряд
неідальний гетроперехід
умови фотозбудження
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 18. - С. 33 - 35.
Краткий осмотр (реферат): It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near the heteroboundary and occurs even at very small intensity of stimulating light. It is connected with the capture of nonequilibrium charge on local centers, presented in spacecharge region. Such change of the form of a potential barrier results in essential change of tunnel hopping conductivity of a spatial charge nonideal heterojunction. Показано, что освещение неидеального гетероперехода CdS-Cu2S приводит к существенному сокращению ширины области пространственного заряда и изменению формы потенциального барьера. Установлено, что вблизи гетерограницы это изменение максимально выражено и происходит даже при очень небольших интенсивностях возбуждающего света. Это связано с захватом неравновесного заряда на присутствующие в области пространственного заряда локальные центры. Такое изменение формы потенциального барьера приводит к существенному изменению туннельно-прыжковой проводимости области пространственного заряда неидеального гетероперехода. Доведено, що засвітлення неідеального гетеропереходу CdS-Cu2S викликає важливе скорочення ширини області просторового заряда та зміни форми потенційного бар’єру. Встановлено, що поблизу гетеромежі ця зміна — максимальна і відбувається при дуже невеликих інтенсивностях збуджуючого світла. Це пов’язано з захопленням нерівноважного заряду на присутні локальні центри. Такі зміни форми потенц ійного бар’єру викликають суттєві зміни тунельно –стрибкової провідності області просторового заряду неідеального гетеропереходу.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/255
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_33-35.pdf68,8 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь