EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics
of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance both the forward and reverse currents. The gas
sensitivity of p-n structures at forward biases is due to enhanced surface recombination, while at reverse biases a surface conductive channel
shorts the p-n junction. The sensitivity to ammonia is much higher than to other vapors. It is explained as a result of donor properties
of NH molecules. The response time of silicon p-n junctions as gas sensors at room temperature is below 60s. Исследовано влияние паров аммиака, воды и этилена на ВАХ прямого и обратного токов, а также на кинетику поверхностного
тока в кремниевых p-n структурах. Все указанные пары повышают и прямой, и обратный токи. Газовая чувствительность
p-n структур при прямом смещении обусловлена ростом интенсивности поверхностной рекомбинации, а при
обратном смещении проводящий канал закорачивает p-n переход. Чувствительность к аммиаку значительно выше, чем к
другим парам. Это объясняется донорными свойствами молекул NH3. Время срабатывания кремниевых p-n переходов как
газовых сенсоров при комнатной температуре не превышает 60 с. Досліджено вплив парів аміаку, води і етилену на ВАХ прямого і зворотного струмів, а також на кінетику поверхневого
струму в кремнієвих p-n структурах. Всі указані пари підвищують і прямий, і зворотний струми. Газова чутливість p-n
структур при прямому зміщенні обумовлена зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, а при зворотному зміщенні
провідний канал закорочує p-n перехід. Чутливість до аміаку значно вища, ніж до інших парів. Це пояснюється донорними
властивостями молекул NH3. Час спрацювання кремнієвих p-n переходів як газових сенсорів при кімнатній температурі не
перевищує 60 с.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
ambient atmosphere, surface current, silicon, поверхностный ток, окружающая атмосфера, кремний, поверхневий струм, навколишня атмосфера, кремній
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics