DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
Фотоэлектроника = Photoelectronics >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/252

Название: EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS
Другие названия: ВЛИЯНИЕ ОКРУЖАЮЩЕЙ АТМОСФЕРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В КРЕМНИЕВЫХ P-N ПЕРЕХОДАХ
ВПЛИВ НАВКОЛИШНЬОЇ АТМОСФЕРИ НА ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У КРЕМНІЄВИХ P-N ПЕРЕХОДАХ
Авторы: Ptashchenko, O. O.
Ptashchenko, F. O.
Yemets, O. V.
Птащенко, А. А.
Птащенко, Ф. А.
Емец, Е. В.
Птащенко, О. О.
Птащенко, Ф. О.
Ємець, О. В.
Ключевые слова: ambient atmosphere
surface current
silicon
поверхностный ток
окружающая атмосфера
кремний
поверхневий струм
навколишня атмосфера
кремній
Дата публикации: 2009
Издатель: Астропринт
Источник: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Серия/номер: ;№ 18. - С. 28 - 32.
Краткий осмотр (реферат): The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance both the forward and reverse currents. The gas sensitivity of p-n structures at forward biases is due to enhanced surface recombination, while at reverse biases a surface conductive channel shorts the p-n junction. The sensitivity to ammonia is much higher than to other vapors. It is explained as a result of donor properties of NH molecules. The response time of silicon p-n junctions as gas sensors at room temperature is below 60s. Исследовано влияние паров аммиака, воды и этилена на ВАХ прямого и обратного токов, а также на кинетику поверхностного тока в кремниевых p-n структурах. Все указанные пары повышают и прямой, и обратный токи. Газовая чувствительность p-n структур при прямом смещении обусловлена ростом интенсивности поверхностной рекомбинации, а при обратном смещении проводящий канал закорачивает p-n переход. Чувствительность к аммиаку значительно выше, чем к другим парам. Это объясняется донорными свойствами молекул NH3. Время срабатывания кремниевых p-n переходов как газовых сенсоров при комнатной температуре не превышает 60 с. Досліджено вплив парів аміаку, води і етилену на ВАХ прямого і зворотного струмів, а також на кінетику поверхневого струму в кремнієвих p-n структурах. Всі указані пари підвищують і прямий, і зворотний струми. Газова чутливість p-n структур при прямому зміщенні обумовлена зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, а при зворотному зміщенні провідний канал закорочує p-n перехід. Чутливість до аміаку значно вища, ніж до інших парів. Це пояснюється донорними властивостями молекул NH3. Час спрацювання кремнієвих p-n переходів як газових сенсорів при кімнатній температурі не перевищує 60 с.
Описание: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/252
Располагается в коллекциях:Фотоэлектроника = Photoelectronics

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
fotoel_18_2009_28-32.pdf113,02 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь