Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/252
Title: EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS
Other Titles: ВЛИЯНИЕ ОКРУЖАЮЩЕЙ АТМОСФЕРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В КРЕМНИЕВЫХ P-N ПЕРЕХОДАХ
ВПЛИВ НАВКОЛИШНЬОЇ АТМОСФЕРИ НА ПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У КРЕМНІЄВИХ P-N ПЕРЕХОДАХ
Authors: Ptashchenko, Oleksandr O.
Ptashchenko, Fedir O.
Yemets, O. V.
Птащенко, Александр Александрович
Птащенко, Федор Александрович
Емец, Е. В.
Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Федір Олександрович
Ємець, О. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2009
Publisher: Астропринт
Keywords: ambient atmosphere
surface current
silicon
поверхностный ток
окружающая атмосфера
кремний
поверхневий струм
навколишня атмосфера
кремній
Series/Report no.: ;№ 18. - С. 28 - 32.
Abstract: The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance both the forward and reverse currents. The gas sensitivity of p-n structures at forward biases is due to enhanced surface recombination, while at reverse biases a surface conductive channel shorts the p-n junction. The sensitivity to ammonia is much higher than to other vapors. It is explained as a result of donor properties of NH molecules. The response time of silicon p-n junctions as gas sensors at room temperature is below 60s. Исследовано влияние паров аммиака, воды и этилена на ВАХ прямого и обратного токов, а также на кинетику поверхностного тока в кремниевых p-n структурах. Все указанные пары повышают и прямой, и обратный токи. Газовая чувствительность p-n структур при прямом смещении обусловлена ростом интенсивности поверхностной рекомбинации, а при обратном смещении проводящий канал закорачивает p-n переход. Чувствительность к аммиаку значительно выше, чем к другим парам. Это объясняется донорными свойствами молекул NH3. Время срабатывания кремниевых p-n переходов как газовых сенсоров при комнатной температуре не превышает 60 с. Досліджено вплив парів аміаку, води і етилену на ВАХ прямого і зворотного струмів, а також на кінетику поверхневого струму в кремнієвих p-n структурах. Всі указані пари підвищують і прямий, і зворотний струми. Газова чутливість p-n структур при прямому зміщенні обумовлена зростанням інтенсивності поверхневої рекомбінації, а при зворотному зміщенні провідний канал закорочує p-n перехід. Чутливість до аміаку значно вища, ніж до інших парів. Це пояснюється донорними властивостями молекул NH3. Час спрацювання кремнієвих p-n переходів як газових сенсорів при кімнатній температурі не перевищує 60 с.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/252
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_18_2009_28-32.pdf113.02 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.