Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2477
Title: NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORS
Other Titles: НЕГАТИВНА ЧУТЛИВІСТЬ КРЕМНІЄВИХ p—n ПЕРЕХОДІВ ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ
ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ p—n ПЕРЕХОДОВ КАК ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ
Authors: Ptashchenko, Fedir O.
Ptashchenko, Oleksandr O.
Dovganyuk, G. V.
Птащенко, Федір Олександрович
Птащенко, Олександр Олександрович
Довганюк, Г. В.
Птащенко, Федор Александрович
Птащенко, Александр Александрович
Довганюк, Г. В.
Citation: Фотоэлектроника = Photoelectronics
Issue Date: 2011
Publisher: Astroprint
Keywords: gas sensor
p-n junction
surface states
conductive channel
sensitivity
газовий сенсор
p-n перехід
поверхневі стани
провідний канал
чутливість
газовый сенсор
p—n переход
поверхностные состояния
проводящий канал
чувствительность
Series/Report no.: ;Вип.20,С.44-48
Abstract: The influence of ammonia vapors on I—V characteristics of the forward and reverse currents in silicon p—n junctions with different doping levels was studied.Some samples had anomalous high forward and reverse currents.They had negative sensitivity to ammonia vapors.The forward and reverse currents decreased with increasing ammonia partial pressure in the ambient atmosphere.This effect is explained under an assumption that some ionized acceptor centers are present on the n-region surface and form a surface conductive channel,which shorts the p—n junction. Adsorption of ammonia molecules,which are donors in Si,compensates the surface acceptors and diminish the conductivity of the channel.
Досліджено вплив парів аміаку на ВАХ прямого і зворотного струмів кремнієвих p—n переходів з різним рівнем легування.Деякі зразки мали аномально високі прямий і зворотний струми.Вони мали негативну чутливість до парів аміаку.Прямий і зворотний струми зменшувалися зі зростанням парціального тиску аміаку в навколишній ат- мосфері.Даний ефект пояснюється у припущенні,що на поверхні n-області знаходяться іонізовані акцепторні центри і формують провідний канал,який закорочує p—n перехід.Адсорбція молекул аміаку,які є донорами в Si,компенсує поверхневі акцептори і зменшує електропровідність каналу.
Исследовано влияние паров аммиака на ВАХ прямого и обратного токов кремниевых p—n переходов с различным уровнем легирования. Некоторые образцы имели аномально высокие прямой и обратный токи.Они имели отри- цательную чувствительность к парам аммиака. Прямой и обратный токи уменьшались с ростом парциального давления аммиака в окружающей атмосфере.Данный эффект объясняется в предположении,что на поверхности n-области находятся ионизированные акцепторные центры и формируют проводящий канал,который закорачивает p—n переход.Адсорбция молекул аммиака,которые являются донорами в Si, компенсирует поверхностные акцепторы и умень- шает электропроводность канала.
Description: Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2011. - англ.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/2477
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
фото_20_44-48+.pdf208.96 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.