Features of thermo-optical transitions from the recombinational centers excited states

Вантажиться...
Ескіз
Дата
2011
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Astroprint
Анотація
The model of thermo-optical transitions created is confirmed experimentally.The process of hole release from ground state trough excited one to valence band includes firstly the transition at phonon absorption ER → ER′ with energy 0,2 eV and then excitation to the free state ER′→Ev at the expense of photon energy hν = 0,9 eV.The research in effect of photocurrent infrared quenching to determine the priority of optical-thermal transitions at hole release from R-centers was carried out.
Созданная модель термооптических переходов подтверждается экспериментальными данными. Процесс освобожения дырок с основного состояния—через возбуждённое—в валентную зону включает в себя сначала переход с поглощением фонона ER → ER′ с энергией 0,2 eV,и лишь затем возбуждение в свободное состояние ER′ → Ev′ за счёт энергии фотона hν = 0,9 eV.Проведены исследования эффекта инфракрасного гашения фототока для определения очерёдности оптико—термических переходов при освобождении дырок с R-центров.
Розроблена модель термооптичних переходів підтверджена дослідним шляхом.Процес звільнення дірок з основного стану через збудження у валентну зону складається спочатку з переходу з поглинанням фонону ER → ER′з енергієй 0,2 eV,і потім збудження у вільний стан ER′ → Ev′ за рахунок енергії фотона hν = 0,9 eV.Проведені дослідження ефекту інфрачервоного гасіння фотоструму для визначення послідовності оптико-термічних переходів при звільненні дірок з R-центрів.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт, 2011. - англ
Ключові слова
photocurrent infrared quenching, optico-thermal transitions, R-center, эффект инфракрасного гашения, оптико-термические переходы, R-центр, ефект інфрачервонного гасіння, оптико-термічні переходи, R-центр
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics
DOI
ORCID:
УДК
Зібрання