SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS
Вантажиться...
Дата
2009
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere
at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward
current and the reverse current in p-n junctions. The ideality coefficient of I-V characteristics decreases with the storage. This effect has
two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction
of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer. Исследовано влияние хранения (низкотемпературного отжига) пассивированных атомами серы p-n переходов на основе
GaAs в нейтральной атмосфере (в гелии) при комнатной температуре на ВАХ прямого и обратного токов. При хранении
существенно уменьшаются прямой избыточный ток и обратный ток в p-n переходах. Коэффициент идеальности ВАХ уменьшается
в процессе хранения. Этот процесс двухстадийный. Показано, что все эти явления можно объяснить уменьшением
плотности поверхностных центров рекомбинации и уменьшением концентрации электрически активных центров в поверхностном
обедненном слое. Досліджено вплив зберігання (низькотемпературного відпалу) пасивованих атомами сірки p-n переходів на основі GaAs
у нейтральній атмосфері (в гелії) при кімнатній температурі на ВАХ прямого і зворотного струмів. При зберіганні значно
зменшуються надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах. Коефіцієнт ідеальності ВАХ зменшується
процесі зберігання. Даний процес є двостадійний. Показано, що всі ці явища можна пояснити зменшенням щільності поверхневих
центрів рекомбінації та зменшенням концентрації електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.
Опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.
Ключові слова
influence, surface current, P — N junctions, поверхностный ток, P-N — переход, исследования, поверхневий струм, Р-N — перехід, дослідження
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics