Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorPtashchenko, Oleksandr O.-
dc.contributor.authorPtashchenko, Fedir O.-
dc.contributor.authorMasleyeva, N. V.-
dc.contributor.authorBogdan, O. V.-
dc.contributor.authorПтащенко, Александр Александрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Федор Александрович-
dc.contributor.authorМаслеева, Наталья Владимировна-
dc.contributor.authorБогдан, О. В.-
dc.contributor.authorПтащенко, Олександр Олександрович-
dc.contributor.authorПтащенко, Федір Олександрович-
dc.contributor.authorМаслєєва, Наталя Володимирівна-
dc.contributor.authorБогдан, О. В.-
dc.date.accessioned2010-09-09T08:42:15Z-
dc.date.available2010-09-09T08:42:15Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationФотоэлектроника = Photoelectronicsuk
dc.identifier.urihttp://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/240-
dc.descriptionФотоэлектроника = Photoelectronics / ОНУ имени И. И. Мечникова. - Одесса : Астропринт,2009.uk
dc.description.abstractInfluence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The storage strongly reduces the excess forward current and the reverse current in p-n junctions. The ideality coefficient of I-V characteristics decreases with the storage. This effect has two stages. It is showed that all these phenomena can be explained by lowering of the surface recombination centers density and reduction of the electrically active centers concentration in the surface depletion layer. Исследовано влияние хранения (низкотемпературного отжига) пассивированных атомами серы p-n переходов на основе GaAs в нейтральной атмосфере (в гелии) при комнатной температуре на ВАХ прямого и обратного токов. При хранении существенно уменьшаются прямой избыточный ток и обратный ток в p-n переходах. Коэффициент идеальности ВАХ уменьшается в процессе хранения. Этот процесс двухстадийный. Показано, что все эти явления можно объяснить уменьшением плотности поверхностных центров рекомбинации и уменьшением концентрации электрически активных центров в поверхностном обедненном слое. Досліджено вплив зберігання (низькотемпературного відпалу) пасивованих атомами сірки p-n переходів на основі GaAs у нейтральній атмосфері (в гелії) при кімнатній температурі на ВАХ прямого і зворотного струмів. При зберіганні значно зменшуються надлишковий прямий струм та зворотний струм у p-n переходах. Коефіцієнт ідеальності ВАХ зменшується процесі зберігання. Даний процес є двостадійний. Показано, що всі ці явища можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації та зменшенням концентрації електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.uk
dc.language.isoenuk
dc.publisherАстропринтuk
dc.relation.ispartofseries;№ 18. - С. 115 - 118.-
dc.subjectinfluenceuk
dc.subjectsurface currentuk
dc.subjectP — N junctionsuk
dc.subjectповерхностный токuk
dc.subjectP-N — переходuk
dc.subjectисследованияuk
dc.subjectповерхневий струмuk
dc.subjectР-N — перехідuk
dc.subjectдослідженняuk
dc.titleSURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMSuk
dc.title.alternativeПОВЕРХНОСТНЫЙ ТОК В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВЕ GaAs, ПАССИВИРОВАННЫХ АТОМАМИ СЕРЫuk
dc.title.alternativeПОВЕРХНЕВИЙ СТРУМ У P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs, ПАСИВОВАНИХ АТОМАМИ СІРКИuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Photoelectronics

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
fotoel_18_2009_115-118.pdf103.51 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.